RADFET、辐射探测传感器和剂量测定系统
RADFET（辐射传感场效应晶体管），是一款针对辐射灵敏度优化的分立式 P 沟道 MOSFET。这款微电子芯片经过特殊设计，可对高能（电离）辐射敏感。
RADFET 体积小巧、坚固耐用，无需电源即可探测辐射，并且可以轻松集成到辐射剂量测定应用中。
您可以选择将单个 RADFET 集成到您的设计中，或者选择读取模块，该模块可提供优化的 RADFET 读数，同时节省开发时间和成本。
为什么选择 RADFET？
市场上最小的辐射剂量传感器，动态范围广
在经测试超过3000 cGy的重大辐射事件后仍能有效工作
融合了主动和被动探测器的最佳特性
设计用于被动零功耗和主动模式
与主动供电探测器不同，不受灾难性停电事件的影响
组件和系统可轻松集成到无线网络基础设施中
RADFET 数字读出模块
VT-DRM(S) 是一款与欧洲航天局 (ESA) 合作设计的全电离剂量 (TID) 测量模块，旨在为各种 RADFET 技术提供优化的 RADFET 读出。VT-DRM(S) 采用 100 nm 和 400 nm RADFET，支持多种感测模式，涵盖读出和辐照（感测）模式。
该模块输出数字化阈值电压，该阈值电压与累积辐射剂量直接相关。VT-DRM(S) 旨在补偿温度引起的阈值电压漂移，可在较大的温度范围内提供稳定的读出。VT-DRM(S) 可轻松与主机集成。VT-DRM(S) 通过标准 SPI 协议或 isoSPI 与主机通信。
RADFET 读出模块
每个 RADFET 读出模块都包含一个 RADFET 及其读出关键电路，可通过直接焊接到 PCB 上或通过标准通孔连接器轻松集成到您的系统中。
该模块输出缓冲模拟电压（RADFET 阈值电压），该电压与 RADFET 的累积辐射剂量相关。
RADFET 读出模块的电流源专为 Varadis RADFET 设计并优化，每个部件均可单独调整，以最大限度地降低 RADFET 阈值电压因温度引起的漂移。
RADFET 的阈值电压经过缓冲处理，更易于与标准模数转换器集成，从而显著简化您的电子设计。RADFET 工作模式支持读出和辐照（感测）模式。
您可以通过 TTL 逻辑电平控制信号轻松选择所需模式。
| VT01 | RM-VT01-A | Six-lead SOT-23 Plastic | 1 cGy (1 rad) to 1 kGy (100 krad) | 2.9 x 2.8 x 1.1 |
| VT02 | RM-VT02-A | Eight-lead Ceramic Side Braze | 1 cGy (1 rad) to 1 kGy (100 krad) | 10.3 x 7.9 x 3.05 |
| VT03 | RM-VT03-A | Six-lead SOT-23 Plastic | 3 mGy (0.3 rad) to 10 Gy (1 krad) | 2.9 x 2.8 x 1.1 |
| VT04 | RM-VT04-A | Eight-lead Ceramic Side Braze | 3 mGy (0.3 rad) to 10 Gy (1 krad) | 10.3 x 7.9 x 7.4 |
| VT05 | N/A | Six-lead SOT-23 Plastic | 1 Gy (100 rad) to 10 kGy (1 Mrad) | 2.9 x 2.8 x 1.1 |
| VT06 | N/A | Eight-lead Ceramic Side Braze | 1 Gy (100 rad) to 10 kGy (1 Mrad) | 10.3 x 7.9 x 7.4 |
| RADFET Digital Readout Module | ||||
| VT-DRM(S) | N/A | N/A | TID > 15 krad (Si) | |
| RADFET Reader | ||||
| RADFET Reader Pro | N/A | N/A | 1cGy (1 rad) to 10 kGy (1 Mrad) | |
