碳化硅中子探测器

• 定制碳化硅探测器可以最高应用于175^oC

• 普通碳化硅探测器最高工作温度 55^oC

• 适用于医疗、实验室、教育、环境等高能物理应用

• 可以提供像素型用于空间甄别应用

• 适用于手持或野外应用

• 小型、轻便、坚固

• 低压工作，实现本质安全

• 低功耗，非常适合电池供电

• 在低通量水平下，每个中子输出一个脉冲

• 超过几十年的长寿命

• 对伽马不敏感

• 一致性好（无边缘效应和墙效应）(no edge or wall effects)

• 对中子场扰动小

• 高度不对称 (准2D) 探测器参数 (长和宽是厚度的几千倍)

• 宽操作温度范围

我们的探测器是用于探测热中子的异质二极管。我们相信它们是目前市面上最有效的固态中子传感器。虽然基本器件是2线二极管，但多种封装形式可满足特定的客户需求。

其他固态中子传感器通常包括P-I-N型二极管探测器，需要外部的涂层作中子反应。二极管的作用是探测外部中子反应层中的中子反应。

我们的热中子二极管不同，中子反应层在生产、加工工程中就做到了内部。这样比常规方法可以大大的提高探测效率。

我们的探测器大约每7个中子可以截获1个中子，每2个中子可以产生>1个有效信号，使得总的探测效率为7.5%。测量的中子计数率与入射中子通量和传感器面积成正比。计数率也被传感器结构和信号链中使用的甄别下限修正。

我们的50mm²中子探测器表现与充有0.509ccHe气的50mm²的薄He3管非常相似，但是不需要高压，所以我们的探测器是非常安全的。

AT系列传感器最初是为行星空间研究开发的，以支持欧洲航天局的科学和机器人探索计划，在紧凑、坚固的封装中满足低应用电压、高效率和易操作性的要求。

HT系列碳化硅基探测器是近年来发展起来的。它们具有降低漏电流、更好的辐耐辐照性、更高的工作温度和更宽的工作温度范围等重要优点。